中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所机构知识库
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SINANO OpenIR  > 纳米器件及相关材料研究部  > SONY团队  > 专利
专利名称: 异质结太阳能电池及其制备方法
作者: 郑新和; 吴渊源; 张东炎; 李雪飞; 陆书龙; 杨辉
申请受理号: 201210203828.8
专利授权号: CN102738290B
申请日期: 2012-06-20
授权日期: 2016-06-29
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 纳米器件及相关材料研究部
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3151
Appears in Collections:纳米器件及相关材料研究部_SONY团队_专利

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异质结太阳能电池及其制备方法.pdf(469KB)专利--开放获取View Download

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郑新和,吴渊源,张东炎,等. 异质结太阳能电池及其制备方法. CN102738290B. 2016.
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文件名: 异质结太阳能电池及其制备方法.pdf
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