中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所机构知识库
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专利名称: 多结叠层电池及其制备方法
作者: 郑新和1; 张东炎1; 李雪飞1; 吴渊源1; 陆书龙1; 杨辉1
申请受理号: 2147483647
专利授权号: CN102738292B
申请日期: 2012-06-20
授权日期: 2015-09-09
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 纳米器件及相关材料研究部
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3152
Appears in Collections:纳米器件及相关材料研究部_SONY团队_专利

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多结叠层电池及其制备方法.pdf(514KB)----开放获取View Download

作者单位: 1.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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郑新和,张东炎,李雪飞,等. 多结叠层电池及其制备方法. CN102738292B. 2015.
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文件名: 多结叠层电池及其制备方法.pdf
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