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专利名称: 含双栅增强型HEMT器件的集成系统
作者: 于国浩1; 蔡勇1; 张宝顺1
申请受理号: 2147483647
专利授权号: CN102857202B
申请日期: 2012-09-28
授权日期: 2014-12-03
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 纳米加工公共平台
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3169
Appears in Collections:纳米加工公共平台_专利

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含双栅增强型HEMT器件的集成系统.pdf(3753KB)----开放获取View Download

作者单位: 1.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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于国浩,蔡勇,张宝顺. 含双栅增强型HEMT器件的集成系统. CN102857202B. 2014.
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文件名: 含双栅增强型HEMT器件的集成系统.pdf
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