中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所机构知识库
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一种相变存储单元及其制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN103794721B, 申请日期: 2017-01-04,
孔涛;  黄荣;  张杰;  卫芬芬;  程国胜
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三维石墨烯基纳米金属复合材料、其制备方法及应用 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN103706327B, 申请日期: 2016-06-22,
程国胜;  王炜;  李宁;  姜自云
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一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3 纳米线的制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN103540999B, 申请日期: 2016-04-27,
程国胜;  黄荣;  孔涛;  卫芬芬;  张杰
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相变存储器驱动电路及置位和复位方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN103093816B, 申请日期: 2015-08-05,
程国胜1;  王龙1;  孔涛1;  卫芬芬1;  黄荣1;  张杰1
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一种新型相变存储单元结构 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204118135U, 申请日期: 2015-01-21,
程国胜1;  卫芬芬1;  孔涛1;  张杰1;  黄荣1
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一种相变存储器加热电极及相变存储器 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: 203871379U, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-11-27T01:00:20Z
孔涛; 张杰; 黄荣; 卫芬芬; 程国胜
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相变存储器存储单元结构 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: 203871378U, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-11-27T01:00:10Z
孔涛; 黄荣; 张杰; 卫芬芬; 程国胜
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加热电极以及相变存储结构 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: 203871380U, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-11-27T01:00:30Z
程国胜; 卫芬芬; 孔涛; 张杰; 黄荣
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相变存储结构 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: 203812919U, 申请日期: 2014-09-03, 公开日期: 2014-11-27T00:59:29Z
孔涛; 卫芬芬; 黄荣; 张杰; 程国胜
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一种相变存储单元 [专利]
专利类型: 实用新型, 专利号: 203721775U, 申请日期: 2014-07-16, 公开日期: 2014-11-27T00:58:39Z
孔涛; 黄荣; 张杰; 卫芬芬; 程国胜
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用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN102433304B, 申请日期: 2014-04-16,
李宁1;  张琦1;  宋琴1;  唐明亮1;  苏瑞巩1;  齐琳1;  王龙1;  程国胜1
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一种混合单分子膜改性磁小体的方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: 102826615A, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2014-11-27T02:56:06Z
程国胜; 张蓓蓓; 宋琴
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多功能集成的纳米线阵列制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: CN102358615B, 申请日期: 2014-04-16,
程国胜1;  孔涛1;  苏瑞巩1;  张琦1;  黄荣1;  刘永萍1;  张杰1;  卫芬芬1
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用于细胞培养的载体及其制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: 102864119A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2014-01-20T01:42:12Z
程国胜; 张琦; 李宁; 宋琴; 徐骏; 杜瑜扬; 唐明亮; 齐琳; 王龙; 姜自云; 刘立伟
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InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: 102201516A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2014-01-20T00:47:29Z
程国胜; 刘海滨
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氧化石墨烯的还原方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: 102424381A, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2014-01-20T01:24:12Z
程国胜; 张琦; 宋琴; 李宁; 唐明亮; 苏瑞巩; 孔涛; 齐琳
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利用石墨烯片与趋磁细菌三维复合物吸附重金属的方法 [专利]
专利类型: 发明, 专利号: 102417214A, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2012-04-18
宋琴; 张琦; 李宁; 唐明亮; 张蓓蓓; 苏瑞巩; 孔涛; 于昊; 程国胜
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多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法 [专利]
申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2010-01-14T05:56:54Z
苏瑞巩; 张蓓蓓; 李宁; 刘立伟; 程国胜
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准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法 [专利]
申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2010-01-14T05:52:22Z
张蓓蓓; 苏瑞巩; 刘海滨; 李宁; 程国胜
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InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法 [专利]
申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2010-01-14T05:06:49Z
耿秀梅; 刘海滨; 程国胜
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