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专利名称: GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法
作者: 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉
申请受理号: 201310176398.X
专利授权号: CN104157725B
申请日期: 2013-05-13
授权日期: 2017-01-25
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 纳米器件及相关材料研究部
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4941
Appears in Collections:纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队_专利

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GaInP、GaAs、InGaAsP、InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 (1).pdf(432KB)专利--开放获取View Download

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赵勇明,董建荣,李奎龙,等. GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法. CN104157725B. 2017.
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文件名: GaInP、GaAs、InGaAsP、InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 (1).pdf
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