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专利名称: 高性能半导体电子器件
作者: 王越; 蔡勇; 于国浩; 董志华; 张宝顺
申请受理号: 201310138569.X
专利授权号: CN103227199B
申请日期: 2013-04-19
授权日期: 2016-03-09
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 纳米加工公共平台
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4957
Appears in Collections:纳米加工公共平台_专利

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高性能半导体电子器件.pdf(608KB)专利--开放获取View Download

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王越,蔡勇,于国浩,等. 高性能半导体电子器件. CN103227199B. 2016.
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