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SINANO OpenIR  > 学科交叉综合研究部  > 潘革波团队  > 专利
专利名称: 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法
作者: 王凤霞; 潘革波
申请受理号: 201310397762.5
专利授权号: CN103500798B
申请日期: 2013-09-04
授权日期: 2016-08-17
专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利类别: 发明
部门归属: 学科交叉综合研究部
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4960
Appears in Collections:学科交叉综合研究部_潘革波团队_专利

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基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法.pdf(670KB)专利--开放获取View Download

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王凤霞,潘革波. 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法. CN103500798B. 2016.
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文件名: 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法.pdf
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