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一种垂直喷淋式MOCVD反应器
王国斌; 张永红; 王怀兵; 邱凯; 朱建军; 张宝顺; 杨辉
2012-06-06
Date Available2012-09-25
Country中国
Abstract本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器,包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口,用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内,其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域,各独立区域分别设有各自独立的进气口;喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴,喷淋头与转轴联动;复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用,将反应气源分隔并依次喷淋,能有效消除气相寄生反应,同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走,被排出反应器,能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用,提高了外延片的生长质量,并为实现无限增大装片容量提供了可能。
Application Date2010-05-12
Patent NumberCN 101824606B
Language中文
Application Number201010168746.5
Document Type专利
Identifierhttp://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/815
Collection纳米加工公共平台
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GB/T 7714
王国斌,张永红,王怀兵,等. 一种垂直喷淋式MOCVD反应器. CN 101824606B[P]. 2012-06-06.
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